单晶硅纳米孔离子FET

门控可调整流极性

利用单晶硅纳米孔的半导体特性实现门控调节表面电荷,使离子整流极性与方向可调,并在欧姆与二极管特性间切换,适用于大规模离子电路集成。

Hong, Hao · Lei, Xin · Jiangtao, Wei · Yang, Zhang · 张雨龙 · 孙前文 · 张国祺 · Sarro, Pasqualina Maria · 刘泽文

Advanced Electronic Materials 2024

技术优势

极性可反转

门电压改变表面电荷的符号,实现整流方向从阴离子选择性到阳离子选择性的转变。

模式可切换

通过调节门电压,器件的电流-电压特性可在欧姆和类二极管状态之间切换,适应不同电路功能。

机理已证实

仿真结果证明门电压调制的表面电荷决定了整流的大小和方向,与实验一致。

应用场景