非晶相变记忆合金

全温区无电阻漂移

凭借类分子基元设计，该非晶合金在-200°C至165°C的任意工作温度下几乎不产生电阻漂移，为相变神经形态计算提供稳定可靠的存储介质。

Xiaozhe, Wang · 孙苏阳 · Xu, Ding · Nie, Chao · Zhou, Zhou · Junying, Zhang · Ruixuan, Chu · Zhou, Wen · 宋志棠 · Wang, Jiangjing · 马恩 · 张伟

Nature Materials 2025

技术优势

在-200 °C至165 °C的任意工作温度下几乎无电阻漂移

可通过混合光电方法实现多级编码

熔融淬火非晶CrTe₃在电子器件中同样无漂移

已集成于具有自动路径跟踪功能的车辆中