高密度金缺陷双极晶体管

辐照下空间电荷区可调

利用界面陷阱与位移缺陷的耦合效应，在电离辐射下实现空间电荷区的空间再分布，为辐射加固器件设计提供新调控自由度。

Kai, Wang · 杨剑群 · 白争锋 · Liu Guangtong

Electronics Letters 2025

参数信息

Au缺陷浓度降低幅度

40 %

辐照后Au缺陷浓度

6.55 ×10^13 cm−3

技术优势

辐射下SCR可调

带正电的界面陷阱诱导空间电荷区空间再分布：在N型集电区收缩，向P型基区扩展。

缺陷浓度降四成

辐照后Au缺陷浓度从1.09 × 10^14 cm−3降至6.55 × 10^13 cm−3，电子浓度分布仿真结果与之吻合。

应用场景

• 抗辐射功率器件：为功率器件在辐射环境下的SCR调制机制提供设计依据。
• 航天电子：揭示辐射诱发的SCR变化机制，支撑航天器件的可靠性评估。
• 核辐射探测：通过辐照下SCR的空间再分布，可探索辐射响应的新传感原理。