W掺杂NiFe纳米片

富氧空位高效析氧

电沉积腐蚀直接生长在泡沫镍上的三维纳米多孔结构，通过W掺杂与氧空位协同优化了NiFe层状双氢氧化物的电子结构。

Li, Huixi · Chenyang, Zhang · Xiang, Weijun · Amin, Mohammed A. · Jongbeom, Na · 王圣平 · Yu, Jingxian · Yamauchi, Yusuke

Chemical Engineering Journal 2023

具体参数

析氧过电位

211 mV

斜率

36.44 mV dec⁻¹

掺杂量

3 %

技术优势

10 mA cm⁻²下稳定运行超过120小时