FeSO₄微胶囊

去除率提升30%

把芬顿反应催化剂包进微胶囊缓释，随抛光过程可控活化，让碳化硅晶片的化学机械抛光更快更稳。

Juze, Xie · Yangting, Ou · Yao, Jiawen · Tianxin, Luan · Taosheng, Zhang · Zhehan, Li · Chufeng, Sun · 潘继生

Surfaces and Interfaces 2025

参数信息

材料去除率提升

30 %

磨损面积

12.491 μm²

渗透阻力提升倍数

1.5

技术优势

MRR提升30%

FeSO₄在抛光液中以Fe²⁺形式存在，显著增强芬顿反应效率，从而提高材料去除率。

缓释可控活化

微胶囊与工件表面接触时释放Fe²⁺参与反应，生成强氧化物种。

渗透阻力可调

芯壁比从1:1降至1:3时，微胶囊的渗透阻力增加约1.5倍。

应用场景

• 单晶碳化硅衬底抛光：在碳化硅晶片化学机械抛光中作为芬顿催化剂，提高材料去除率。
• 功率半导体衬底加工：用于功率半导体衬底抛光，提高加工效率和表面质量。
• 晶圆平坦化：作为抛光浆料添加剂，促进晶圆平坦化过程中的材料去除。
• 超精密表面加工：用于超精密表面加工，通过可控释放催化剂提高加工精度。