Si/SiGe叠层蚀刻结构

应力分布精准调控

通过蚀刻工艺在Si/SiGe叠层中实现非均匀应变分布，为全环绕栅极晶体管沟道应力工程提供直接实验证据。

Lan, Li · Ran, Bi · Li, Xiaomei · Dong, Zuoyuan · Chao, Yan · Wang, Shuying · 任鹏鹏 · 立明 · 吴幸

Advanced Electronic Materials 2025

技术优势

原子尺度看清应变

利用高分辨 HAADF-STEM 结合应变分析技术，直接获得 Si 叠层中的应变分布，为蚀刻工艺优化提供实验依据。

定位最大应变层

发现底层纳米片承受最高应变，有助于理解多层结构中应变分布规律，指导 GAAFET 设计。

应变劣化可预测

TCAD 仿真表明非均匀应变分布会降低漏极电流，连接原子尺度应变与器件性能，为应变控制提供目标。