高雾度Ga-Zr共掺杂ZnO薄膜

雾度提升384%

针对太阳能电池和透明电子器件对光散射的需求，通过大气压等离子体喷射工艺实现高雾度与低电阻的兼容。

Luo, Yu Syuan · Wu, Cheng · Chang, Li-chiu · Juang, Jia-Yang

Nanomaterials 2023

参数信息

雾度因子

34.8 %

雾度提升幅度

384 %

Zr掺杂量

2 at%

Ga掺杂量

8 at%

技术优势

雾度大幅提升

Zr掺杂导致晶界处形成ZrO2团簇，增强光散射，使雾度因子从7.19%提高到34.8%。

电学性能有保障

SIMS分析表明颗粒丰度与杂质吸收相关，进而影响电学性能，共掺杂策略可在提高雾度的同时保持低电阻率。

工艺简单

采用大气压等离子体喷射系统，无需真空设备，适合大面积、低成本制备。

应用场景

• 透明导电电极：作为透明导电电极，兼具高雾度，可增强光散射，提高光利用率。
• 钙钛矿太阳能电池：用作前电极，高雾度可增加光程，提升电池的短路电流密度。
• OLED：作为透明电极，可调控光取出，提高外量子效率。
• micro-LED显示：用于透明导电层，通过散射均匀化出光，改善显示均匀性。
• 可穿戴电子：柔性基底上可沉积，高雾度有助于柔性能量器件的光管理。