吸附能−7.8 eV
通过缺陷与掺杂改性，WSe₂单层对SF₆及其分解气体展现出强吸附与传感潜力，可同时用于泄漏处理和绝缘监测。
贾鹏飞 · Jianjun, Cao · Mingxiang, Wang · 张镱议 · 刘捷丰 · 徐敏 · Chen, Dachang
Surfaces and Interfaces 2024
缺陷改性可使WSe₂带隙从2.018 eV降至0.008 eV，电导率大幅提升，有利于作为电阻式传感器。
CoO掺杂WSe₂对SF₆的吸附能达−7.818 eV，对SF₆泄漏处理有重要意义。
TiO₂掺杂WSe₂对SOF₂的吸附能达−14.263 eV，可用于吸附去除该分解产物。
通过计算脱附时间τ，系统探索了四种改性材料在不同温度下作为可回收电阻式传感器的特性。