中性束刻蚀蓝光微LED

尺寸降至5μm仍高亮

采用中性束刻蚀工艺，缓解了刻蚀损伤导致的侧壁非辐射复合问题，使小尺寸微LED的发光效率相比传统ICP-RIE工艺显著提升。

Hsu, Yuhsuan · Yun-Cheng, Hsu · LIN, CHIEN CHUNG · Lin, Yihsin · Wuu, Dongsing · Hao-Chung, Kuo · Samukawa, Seiji · Horng, Ray Hua

Materials Today Advances 2024

参数信息

峰值外量子效率（5 μm）

7.6 %

峰值外量子效率（15 μm）

7.7 %

EQEmax尺寸衰减（15 μm→5 μm）

0.1 %

技术优势

峰值EQE显著提升

NBE工艺制备的5 μm和15 μm μLED峰值EQE分别为7.6%和7.7%，均高于ICP-RIE样品。

尺寸缩放衰减极小

芯片从15 μm缩至5 μm时，NBE样品EQEmax仅下降0.1%，而ICP-RIE样品下降0.4%。

改善电学特性

NBE样品展现出更低的等效电阻、开启电压和理想因子，有利于降低功耗。

抑制侧壁非辐射复合

阴极发光分析证实，NBE样品侧壁非辐射复合显著弱于ICP-RIE样品。

应用场景

• 微LED显示：为显示面板提供高效、高亮的小尺寸发光单元。
• 微纳制造：替代传统ICP-RIE刻蚀，用于微纳器件制备。
• 高分辨率显示：在5 μm尺寸下保持高效率，满足高像素密度需求。
• 光学器件：改善器件光电性能，如降低开启电压和电阻。