四氢嘧啶埋底界面

应力弛豫且紫外稳定

通过双锚定分子桥接同时钝化SnO2和钙钛矿缺陷,平整晶界沟槽,非辐射复合被显著抑制。

Wei, Cheng · Huang P. · Zhijie, Gao · Yansheng, Chen · Linying, Ren · 冯庆国 · 刘晓东 · Ahmad, Shahzada · Zuowan, Zhou

Advanced Energy Materials 2025

具体参数

功率转换效率
{'zh': '24.68', 'en': '24.68'} %
紫外稳定性(效率保持率)
{'zh': '80.12', 'en': '80.12'} %

技术优势

效率提升2.12%

双锚定分子桥显著抑制非辐射复合,功率转换效率达到24.68%,高于对照组的22.56%。

紫外稳定性强

未封装器件在365 nm紫外照射(50 mW cm−2)130 h后保持初始效率的80.12%,相当于1412 h的日照。

释放残余应力

双锚定分子桥接机制促进残余应力释放,平整晶界沟槽,从而减少界面缺陷。

双面钝化缺陷

羧基钝化SnO2中未配位的Sn4+和氧空位,亚胺基与钙钛矿中的Pb2+配位,实现界面双侧钝化。

应用场景