C₃N₄修饰花状CuCo₂O₄电极

千次循环容量保持98%

无粘合剂原位生长于泡沫镍,异质结构协同提升电荷存储与稳定性

付永明

RSC Advances 2025

参数信息

比容量
247.5 mA h g⁻¹
倍率性能
87.0 mA h g⁻¹
循环保持率
98 %

技术优势

循环稳定性极强

g-C₃N₄纳米片与CuCo₂O₄形成的异质界面有效抑制了循环过程中的结构退化,1000次循环后容量仅衰减2%。

免去使用粘合剂

活性材料通过两步水热法直接生长在泡沫镍集流体上,无需添加聚合物粘合剂或导电剂,简化了电极制备并降低界面电阻。

应用场景