Janus VSeTe 单层

自旋手性可逆切换

通过双轴应变可以反转面内DMI符号，实现自旋手性的可逆切换；双层堆叠则可独立调控DMI与电极化。

Linrui, Zhao · 安玉凯

Journal of Alloys and Compounds 2026

具体参数

DMI系数

{'zh': '2.472', 'en': '2.472'} meV

面外电极化

{'zh': '2.78', 'en': '2.78'} C/m²

技术优势

自旋手性可逆切换

双轴应变可反转主导面内DMI的符号，从而在不更换材料的情况下实现磁畴手性的可控翻转。

极化与DMI独立调控

通过选择不同的双层堆叠方式，可以在保持面内MAE不变的情况下，独立调节DMI强度和电极化的大小与方向。

Rashba效应协同增强

AB_up-up堆叠中平行的层间极化产生协同静电势，增强了Rashba效应，从而获得大的DMI系数。

产生面外极化

反平行极化堆叠（如AB_up-dn）因对称性破缺而表现出可观的面外电极化，最大可达2.78 C/m²。

应用场景

• 自旋电子学器件：利用可调控的DMI和自旋手性，设计新型自旋逻辑和存储器件。
• 磁性拓扑材料：作为二维Janus材料，提供探索磁性与拓扑耦合的平台。
• 拓扑自旋结构：应变调控DMI符号，有助于稳定和操控斯格明子等拓扑自旋结构。
• 非易失性存储器：利用可逆自旋手性切换和电极化，实现多态非易失信息存储。