键合强34.5 MPa
通过多元素合金化方法，为MgAgSb热电材料提供一种强键合、低接触电阻的界面材料，克服相变应力。
Wu, Xinzhi · Lin, Yangjian · 刘呈燕 · Wang, Yu P. · Li, Huan · 葛炳辉 · 刘玮书
Energy and Environmental Sciences 2024
AgMgMn0.1与MgAgSb之间形成高结合强度的界面，承受器件在相变温度附近产生的应力，避免机械失效。
界面接触电阻率仅为4.5 μΩ cm²，减少了电能损耗，有助于提升器件的整体转换效率。
在相变温度附近进行原位微观结构表征，证明界面能抵御相变引起的应力，保障器件在宽温域内稳定服役。
该器件在325 °C温差下实现9.1%的最大转换效率，超过商用Bi2Te3产品在低温区间的表现，且不含碲，更加环保。