DAST单晶压电材料

d33高达222 pC/N，远超有机同类

一种有机非线性光学材料，其压电应变系数超越所有已知单组分有机压电材料，甚至可与无机钛酸钡媲美，且柔顺、无铅、可低温制膜。

Gu, Yu · 许向东 · 周文哲 · 侯鹏飞 · Dai, Zelin · Li, Xinrong · Cheng, Xiaomeng · Ouyang, Fangping · 杨志雄 · 王金斌 · 蒋亚东

Materials Today 2026

参数信息

strain coefficient d

222 pC/N

BTO PZT

43 倍

技术优势

无铅、柔顺、可在柔性基底上低温制膜