低能耗光电忆阻器

低至187 pJ能耗

采用TiN/CeO₂/ZnO/ITO异质结结构,在0.5 V、5 ms单脉冲下实现低能耗,连续脉冲下线性能高达99.6%,可模拟多种光电突触功能。

Zhou, Zhenyu · Zixuan, Zhang · 李鹏飞 · Zhiyuan, Guan · 赵健慧 · 闫小兵

Nano-Micro Letters 2025

参数信息

最低单脉冲能耗
187 pJ
连续脉冲线性度
99.6 %
面部特征提取激活率
92 %

技术优势

能耗够低

单脉冲最低能耗仅 187 pJ,较常规方案显著降低,可延长便携视觉系统的续航。

线性度够高

连续脉冲下线性度可达 99.6%,有利于实现高精度的突触权重更新。

光电多能

在光电协同下模拟多种突触功能,并能实现图像识别、长期记忆和面部特征提取。

应用场景