NiP基合金阻挡层

1 年内接触电阻低于 2 μΩ cm²

用低扩散速率的NiP合金取代商用Ni层，从根本上抑制n型Bi₂Te₃界面的扩散退化，大幅提升模块的长期服役稳定性。

Erbiao, Min · Yifeng, Ling · Zhao, Linghao · 许莹 · Gao, Li-Yin · 立娟 · Feng, Jianghe · 张平 · Liu, Ruiheng · Sun, Rong

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

具体参数

初始界面接触电阻率

{'zh': '0.90', 'en': '0.90'} μΩ cm²

老化后界面接触电阻率

{'zh': '1.98', 'en': '1.98'} μΩ cm²

最大制冷温差

{'zh': '71.5', 'en': '71.5'} K

技术优势

老化后电阻仍极低

NiP扩散速率低，即使423 K老化35天后界面接触电阻率仍保持在1.98 μΩ cm²以下，意味着模块不需频繁更换。

初始电阻突破1 μΩ cm²

初始接触电阻率低至0.90 μΩ cm²，远低于商用Ni层，使冷端可更有效地快速带走热量。

能跑高制冷温差

用上NiP后，15对碲化铋器件在304 K热端即实现71.5 K制冷温差，可直接满足芯片散热或便携冰箱等场景的温控需求。

应用场景

• 热电制冷器件：用低扩散率NiP替代商用Ni，从根源上解决n型碲化铋界面退化，让制冷器件在高温长时运行中仍保持低接触电阻。