取向SnS₂纳米片

压电光催化CO₂还原

高度取向的六方SnS₂纳米片利用压电效应放大内建电场，在超声辅助下催化性能显著超过随机取向结构。

夏炜炜 · 刘星雨 · Huajian, Huang · Liu, Zhangkai · 曾祥华

Journal of Environmental Chemical Engineering 2025

参数信息

CO产率（纯可见光，含硫空位纳米花）
74.45 μmol·cm⁻²·h⁻¹
CO产率（纯可见光，取向纳米片）
15.97 μmol·cm⁻²·h⁻¹
CO产率（超声辅助光，取向纳米片）
165.54 μmol·cm⁻²·h⁻¹
CO产率（超声辅助光，纳米花）
137.18 μmol·cm⁻²·h⁻¹

技术优势

取向提升压电响应

高度(001)取向的SnS₂纳米片具有优异的压电性能，在超声作用下可显著放大内建电场，从而增强光生载流子分离效率，使CO产率在超声辅助光照下达到165.54 μmol·cm⁻²·h⁻¹。

硫空位增强光吸收

硫空位增大了电化学比表面积并增强光吸收，使SnS₂纳米花在纯可见光下CO产率达74.45 μmol·cm⁻²·h⁻¹，是取向纳米片的4.7倍。

同一材料不同构型

通过水热法在同一碳纸基底上可控制备高度取向纳米片和随机取向纳米花，分别适应不同激发模式（光/超声+光）的最优性能。

应用场景