Mn掺杂Sc2CO2单层

应变调量子电容

通过双轴应变调控磁性半导体性质，使该二维材料在宽应变范围内呈现适合阴极应用的特征。

Zhao, Zhang · 李小红 · 张瑞州 · 崔红玲 · Yan, Haitao

Journal of Energy Storage 2023

参数信息

总磁矩

2.16 μB

总磁矩

2.69 μB

Mn原子局域磁矩

2.59 μB

Mn原子局域磁矩

4.33 μB

自旋向上带隙

0.3 eV

自旋向下带隙

1.83 eV

技术优势

应变可连续调磁

在-2%至+5%的双轴应变范围内，总磁矩从2.16 μB单调增加到2.69 μB，为器件提供可控的磁响应。

应变调带隙类型

自旋向下通道在应变下保持直接带隙，最大1.83 eV；自旋向上通道变为间接带隙，最大0.3 eV，可通过应变在直接/间接之间切换。

应用场景

• 超级电容器电极：通过应变调控量子电容，优化电荷存储能力。
• 新型阴极材料：宽应变范围内保持适合阴极的电子结构，提升电极适应性。
• 二维磁性材料：Mn掺杂引入可调磁性，为二维磁性器件提供候选材料。
• 应变工程：通过双轴应变连续调节磁性和带隙，实现性质工程化。