CdS/CdSe-MoS₂/NiFe光阳极

过电位低228 mV

半导体-电催化剂纳米界面,实现高光电流密度下的超低过电位,并具备卓越的长期稳定性。

Zilong, Wu · Liu, Xiangyu · Li, Haijing · 孙志毅 · 曹茂盛 · Li, Zezhou · Zhou, Jihan · 曹传宝 · 董俊才 · Zhao, Shenlong · 陈卓

Nature Communications 2023

具体参数

光电流密度下电位
1.001 V vs
比理论水分解电位低
228 mV
过电位下光电流密度
15 mA cm⁻²
长期测试后保持
95 %