阵列线电极抛光装置

窄槽内壁粗糙度降40%

利用巨型电流变抛光原理，可对单晶锗窄槽内壁进行有效减糙，突破现有抛光方法在窄小空间内难以加工各向异性脆性材料的局限。

Haihong, Ai · Tianqi, Song · Pingfa, Ren · 王昆 · 熊小敏 · Zhanshan, Wang

Journal of Manufacturing Processes 2024

参数信息

表面粗糙度（抛光后）

261 nm

表面质量提升率

40.1 %

技术优势

能抛光窄槽内壁

阵列线电极能伸入窄槽，通过电流变效应实现对内壁的材料去除，解决了小开口尺寸下无法加工的问题。

粗糙度降四成

通过双路径抛光路线补偿电场分布不均导致的材料去除差异，表面粗糙度从 440 nm 降至 261 nm。

应用场景

• 光学器件加工：让窄槽内壁达到可用的反射面粗糙度，提升光反射性能。
• 微槽结构制造：解决小开口窄槽内壁无法通过常规手段减糙的难题。
• 半导体衬底抛光：对单晶锗这类各向异性脆性材料的内壁表面进行可控抛光。