涂层Si₂N₂O/SiO₂坩埚

结晶度降87%

通过引入Si₂N₂O抑制高温结晶，实现熔融硅生长后坩埚结构完整、易于脱模，可重复使用。

Xiaowei, Zhang · 王庆虎 · Shaowen, Yang · 戴亚洁 · Shengzhe, Yang · 潘丽萍 · 徐义彪 · 梁雄 · 李亚伟 · 杨增朝 · 李江涛 · Lei, Jiang

Ceramics International 2024

具体参数

结晶度低于

8.85 wt%

坩埚低

79.23 %

技术优势

硅生长后保持完整微观结构和宏观形貌