InP/SiO₂多层膜

倍频强度高12倍

一种无需严格外延即可生长的多层膜,在空气环境中从80到673 K保持倍频输出稳定。

Lin, Yue · 石磊 · 强盛 · 李冬 · Zhu, Xuan · 甄良 · Sun, Nie Feng · 秦敬凯 · 徐成彦

Small 2025

具体参数

倍频强度
12 ×
等效二阶非线性系数
7.15e-10 m V⁻¹
温度稳定性范围
80-673 K

技术优势

倍频强度高12倍

多层结构中局域电场增强与光-物质相互作用增强,使倍频强度达到InP晶圆的12倍。

宽温域稳定输出

在空气环境中从80 K到673 K表现出优异的倍频发射稳定性,无退化。

无需严格外延生长

采用气-液-固(VLS)生长方法制备多层膜,不要求严格的外延生长条件,简化了制备工艺。

应用场景