高熵BTO陶瓷

25–250 °C 储能密度 4.90 J cm⁻³

通过熵工程实现宽温域稳定储能，突破BTO陶瓷温度可靠性的局限。

Song, Yan · 张敏 · Lan, Shun · Yang, Bingbing · Liu, Yiqian · 南策文 · 林元华

Journal of Advanced Ceramics 2024

参数信息

储能密度
4.90 ± 0.14 J cm⁻³
储能效率
89 %
储能密度
5.76 J cm⁻³
循环次数
3×10⁵ cycles

技术优势

宽温域稳定

在25–250 °C范围内储能密度波动仅为±0.14 J cm⁻³，效率始终保持在89%以上，满足高温应用需求。

循环耐久

在300 kV cm⁻¹、200 °C下循环3×10⁵次后性能几乎无劣化，保证了器件的长期可靠性。

击穿场强高

熵工程促进晶格畸变和晶粒细化，提高电阻，从而显著提升击穿场强，支撑高储能密度。

应用场景