GaN晶体各向异性刻蚀

微半球测速法

首次报道Ga面GaN晶体全晶面各向异性刻蚀速率分布，为湿法刻蚀工艺提供完整速率数据库。

Zhou, Zaifa

Journal of Alloys and Compounds 2025

技术优势

85%wt H₃PO₄中130°C和150°C下刻蚀速率分布呈六方对称

可确定不同温度下最大与最小刻蚀速率晶面

+c面、m面、a面等主取向刻蚀速率已测

可用于刻蚀前沿数值模拟