Mo掺杂NiFe氢氧化物纳米片

低过电位催化

通过Mo掺杂调控电子结构，加速反应动力学，使OER活性提升。

Can, Zhang · Jing, Wang · Ma, Hang · Wang J. · 徐瑞东 · Li, Guixiang · Yang, Linjing · 郭洪

Chemical Engineering Journal 2024

具体参数

OER过电位

{'zh': '216', 'en': '216'} mV

技术优势

过电位低

仅需 216 mV 即可达到 10 mA cm⁻²，说明催化 OER 的能垒低，能显著降低电解能耗。

稳定性高

Mo 掺杂后纳米片在 OER 条件下保持稳定，有利于长期运行。

反应更快

Mo 掺杂引起晶格畸变，使 d 带中心靠近费米能级，加速了反应动力学。

应用场景

• 电解水制氢：降低阳极析氧过电位，提升制氢能效。
• 电催化析氧：替代贵金属催化剂，降低析氧反应成本。