超支化BN/CNF复合薄膜

高压绝缘抗闪络

通过超支化聚合物功能化氮化硼解决填料分散与界面问题，获得兼具低介损、高热稳定性与优异绝缘性的环保复合薄膜。

Zhao, Yalin · Shen, Zhao · Miao, Zhicong · 邢云琪 · Hongkun, Wang · Rongjin, Huang · 马光同

High Voltage 2026

具体参数

沿面闪络电压

{'zh': '15.61', 'en': '15.61'} kV

介电损耗正切

{'zh': '0.016', 'en': '0.016'}

体积电阻率

{'zh': '10⁹', 'en': '10⁹'} Ω·m

800 °C 残余质量

{'zh': '55.36', 'en': '55.36'} %

技术优势

闪络电压提升

HBP-BN/CNF 复合薄膜的沿面闪络电压从未改性 BN/CNF 的 13.82 kV 提高到 15.61 kV，增强了高压绝缘能力。

低介电损耗

复合薄膜的介电损耗正切值低于 0.016，有助于减少高电场下的能量耗散。

高体积电阻率

体积电阻率达到 10⁹ Ω·m，显著抑制漏电流，提升绝缘可靠性。

高热稳定性

在 800 °C 下残余质量达 55.36%，适用于高温环境下的绝缘应用。

应用场景

• 生物基电介质：以纤维素纳米纤维为基体，可替代传统石油基介电材料。
• 高压绝缘材料：提高沿面闪络电压，适用于高压绝缘防护。
• 电子封装：低介电损耗和高电阻率有助于封装中信号完整性和绝缘。
• 柔性电子器件：CNF 基体赋予柔性，适用于柔性电子器件的介电层。
• 电气设备绝缘：高热稳定性和绝缘性能适用于电气设备的绝缘部件。