未掺杂 Ge/SiGe 异质结

量子散射长

输运迁移率受损但量子散射时间保持 2.3 ps，量子器件工艺兼容性佳。

Yi-Xin, Li · Kong, Zhenzhen · Shimin, Hou · Wang, Guilei · 黄少云

Physical Review B 2023

具体参数

空穴密度

{'zh': '2.25×10¹¹', 'en': ''} cm⁻²

量子散射时间

{'zh': '2.3', 'en': ''} ps

逾渗密度

{'zh': '0.69×10¹¹', 'en': ''} cm⁻²

技术优势

1.71 K 下观测到填充因子 ν=1 至 8 的整数量子霍尔效应