未掺杂 Ge/SiGe 异质结

量子散射长

输运迁移率受损但量子散射时间保持 2.3 ps，量子器件工艺兼容性佳。

Yi-Xin, Li · Kong, Zhenzhen · Shimin, Hou · Wang, Guilei · 黄少云

Physical Review B 2023

参数信息

空穴密度

2.25×10¹¹ cm⁻²

量子散射时间

2.3 ps

逾渗密度

0.69×10¹¹ cm⁻²

技术优势

1.71 K 下观测到填充因子 ν=1 至 8 的整数量子霍尔效应