铁基纳米晶磁屏蔽

低频磁噪声低

该磁屏蔽通过优化纵横比与层厚,在1 Hz低频下实现低磁噪声,适用于高屏蔽系数与低噪声需求的场合。

Wengfeng, Fan · 陆吉玺 · 全伟

Materials 2025

参数信息

1 Hz径向磁噪声最优纵横比
1.3
1 Hz轴向磁噪声最优纵横比
1.4

技术优势

噪声与孔直径无关

泵浦孔与探测孔的直径对1 Hz磁噪声几乎没有影响,设计时可优先考虑光学接入需求而无需牺牲磁性能。

纵横比可调至最优

定长磁屏蔽筒的径向噪声在纵横比1.3时最低,轴向噪声在1.4时最低,为结构设计提供了明确目标。

层厚越厚噪声越低

在模拟范围内,层厚与磁噪声呈负相关,增加层数是降低噪声的有效手段。

损耗因子升高噪声增大

对比不同初始磁导率的材料发现,损耗因子增加会导致磁噪声增加,选材时需权衡磁导率与损耗。

应用场景