免补偿极低过电位
银纳米线网络大幅降低溶液电阻,加载镍基催化剂后无需iR补偿即可达到极低过电位。
Zuo, Chunyan · Feng, Zhou · Zhang, Gaowei · Zhong, Liubiao · Jianjun, Ling · Yang, Jun · 邱业君 · 陶国华
Cell Reports Physical Science 2023
支架使溶液电阻低至~0.3 Ω,加载Ni基催化剂后无需iR补偿即可获得低过电位,简化测试和系统设计。
银纳米线气凝胶作为导电支撑体,其网络结构不仅提供高导电通路,还诱导催化剂形成有利于氢吸附的层级纳米结构,提升HER活性。