共掺杂In4Se3热电材料

ZT值达1.65

通过多重缺陷散射大幅降低热导率，同时提升电导率，实现该类材料最高ZT值。

黄斌 · Zhizhen, Qin · Zhiwen, Lai · Wang, Yuan · Qiang, Liu · 金娜 · Luo, X. · 杨延清

Journal of Alloys and Compounds 2025

具体参数

最大ZT值

{'zh': '1.65', 'en': '1.65'}

总热导率

{'zh': '0.60', 'en': '0.60'} W·m⁻¹K⁻¹

技术优势

ZT值创新高

Ag/I共掺杂实现多重缺陷散射，大幅降低热导率同时提升电导率，ZT达到1.65，超越所有已知In4Se3基材料。

热导率极低

通过纳米孔、晶界、纳米颗粒等多尺度缺陷散射，723 K时总热导率低于0.60 W·m⁻¹K⁻¹，接近非晶态极限。

应用场景

• 温差发电器件：高ZT值提升发电效率，适合工业余热或航天器等废热回收场景。
• 热电制冷模块：极低热导率和良好电输运利于固态制冷，可用于电子器件热管理。
• 航天器电源：材料在高温下性能优异，适合航天中利用同位素热源持续供电。