微米银烧结接头

无压低温快烧

利用红外辐射选择性加热实现无压烧结,接头孔隙率低、抗热震,使功率器件热学和电学性能更优。

Renhao, Song · Yuan, Fang · Su, Yue · Shuo, Wang · 张旭

Electronics (Switzerland) 2024

参数信息

芯片剪切强度
38 MPa
电阻率
9.83 × 10⁻⁵ Ω·cm
孔隙率
6.4 %
热冲击循环后孔隙率
6.4 %

技术优势

无需外加压力

红外辐射选择性加热,仅烧结区域吸收热能,因此整个工艺无需施加压力,简化了流程。

烧结时间大幅缩短

45分钟即可达到高于传统2小时工艺的剪切强度,提升生产效率。

低孔隙率

红外烧结接头的孔隙率仅为6.4%,低于传统工艺,有利于导电和导热。

抗热震可靠性高

经过3000次热冲击循环后孔隙率不变,显示出优异的长期可靠性。

应用场景