应变二硫化钼晶体管

迁移率提升最高152%

在平坦衬底上通过机械层压预制晶体管实现均匀应变,纯晶格应变即可提升二维半导体载流子迁移率,避免了柔性或粗糙衬底带来的介电环境变化和界面散射干扰。

Chen, Yang · Lu, Donglin · Kong, Lingan · Tao, Quanyang · Ma, Likuan · Liu, Liting · Lu, Zheyi · Li, Zhiwei · Wu, Ruixia · 段曦东 · 廖蕾 · 刘渊

ACS Nano 2023

具体参数

晶体管迁移率提升
152 %
晶体管迁移率提升
64 %