MoS₂/GaN结场效应晶体管

Yao, Zhou; Fei, Li; Wenfeng, Li; Jianru, Chen; Jiahao, Gao; Jianming, Huang; Liang, Zhao; Tu, Zhao; Li, Jiabin; Zheng, Tao; Zhidong, Pan; Zheng, Zhaoqiang; Huo, Nengjie; Luo, Dongxiang; Yang, Mengmeng; Wang, Xingfu; Wenlong, Chen; Sun, Yiming; Gao, Wei

MoS₂/GaN结场效应晶体管

亚阈值摆幅近玻尔兹曼极限

一种通过二维/三维异质结厚度工程实现的结场效应晶体管，在超低工作电压下同时具备陡峭开关特性和高开/关比，适用于后摩尔时代的低功耗逻辑电路。

Yao, Zhou · Fei, Li · Wenfeng, Li · Jianru, Chen · Jiahao, Gao · Jianming, Huang · Liang, Zhao · Tu, Zhao · Li, Jiabin · Zheng, Tao · Zhidong, Pan · 郑照强 · 霍能杰 · 罗东向 · Yang, Mengmeng · 王幸福 · Wenlong, Chen · Sun, Yiming · 高伟

Advanced Functional Materials 2024

具体参数

厚度: 10 nm
饱和电流密度: 0.16 µA/µm
静态功耗: 25 nW

技术优势

开/关比10⁷