高频损耗低
化学液相包覆工艺在磁粉表面形成致密氧化铝绝缘层，显著降低高频涡流损耗，同时保持优异直流偏置性能。
Zhou, Zhangqiao · Qi, Li · Jiaxin, Gao · 聂彦 · 王鲜
Ceramics International 2025
均匀的Al₂O₃绝缘层有效抑制高频涡流，1 MHz、20 mT下磁芯损耗仅为391.7 mW/cm³，满足高频应用需求。
采用化学液相包覆法，无需复杂设备，旋转煅烧即可完成，降低生产成本。
在100 Oe直流偏置下磁导率保持75.45%，适用于大电流叠加场景。
旋转煅烧过程中形成的约1 nm晶态有序区（CLOs）提高了饱和磁化强度，有利于器件小型化。