FeNi/Co/Cu/Co/FeNi五层纳米结构薄膜

通过静磁耦合在GHz频段实现更高磁阻抗比，为高频磁传感器提供理论设计依据。

Jintao, Liu · Wang, Tao · 陈金波 · 李恒宇 · 吴智政 · Ze, Cui · 刘梅

Journal of Superconductivity and Novel Magnetism 2025

技术优势

对称结构提升MI比

对称结构中软磁层与硬磁层之间的静磁耦合在GHz频率下产生更大的磁阻抗比。

精确理论模型

通过同时求解麦克斯韦方程和Landau-Lifshitz方程，并引入软磁层有效偏置场，精确描述磁阻抗响应。

可调谐传感性能

通过调整薄膜性质和偏置场，可以改善传感性能，为器件设计提供灵活性。

应用场景

• 高频磁阻抗传感器：利用该模型设计GHz频段高灵敏度磁阻抗传感器。
• 磁性传感：通过磁耦合增强磁阻抗响应，提高磁场检测灵敏度。
• 自旋电子器件：为高频自旋电子器件提供理论设计和优化基础。