TaOx/TiOy双层忆阻器

低能耗模拟突触

以叠层结构获得高开关比与优良线性，单脉冲能耗仅12.69 nJ，可模拟多种突触可塑性。

朱明敏 · 74020904 · 74020903 · Kai, Yu · Yulong, Jiang · 74295701 · 董文静 · 郭金明 · Qiu, Yang · Yu, Guoliang · Zhou, Hao-Miao

Advanced Electronic Materials 2024

参数信息

开关比

660

脉冲能耗

12.69 nJ

手写识别准确率

92.45 %

技术优势

开关比够大

约660的开关比使得存储窗口宽裕，多级存储的中间态区分度高，有利于实现多位存储。

脉冲能耗低

单脉冲能耗仅12.69 nJ，有助于构建低功耗的神经形态硬件，减少系统散热压力。

识别准确率高

基于该器件的增强线性度和对称性，神经形态网络在手写识别中达到92.45%的准确率，接近理想突触器件的性能。

应用场景

• 非易失存储器：利用约660的高开关比实现多级存储，提升存储密度。
• 神经形态计算：低能耗、高线性度的电导更新可构建高识别准确率的硬件网络。
• 人工突触器件：成功模拟LTP/D和PPF等关键突触行为，可替代生物突触功能。