Si₀.₇Ge₀.₃/Si多层结构

15周期叠层

通过15周期SiGe/Si叠层提升器件电流驱动与存储密度，选择性刻蚀效果已在GAA晶体管工艺下得到验证。

Liu, Enru · Li, Junjie · Na-Na, Zhou · Chen, Rui · 邵华 · 高剑峰 · 张青竹 · Kong, Zhenzhen · Lin, Hongxiao · Zhang, Chenchen · Chaosan, Yang · 刘阳 · Wang, Guilei · Yang, Tao · 殷华湘 · 李峻峰 · 罗军 · 王文武

Nanomaterials 2023

参数信息

叠层周期数

15

技术优势

叠层数增5倍

从三周期扩展至十五周期，可有效提升器件的电流驱动能力。

先算后验

仿真预测了横向刻蚀深度的随机效应和边缘纳米片损伤的不对称性，并得到实验验证，为工艺窗口提供参考。

参数规律明确

实验揭示了压力、功率等参数对刻蚀结果的影响机制，有助于优化选择性比。

应用场景

• GAA晶体管工艺：验证15周期叠层选择性刻蚀效果，优化内隔离腔和沟道释放工艺。
• 3D DRAM：通过多层叠层提高存储密度，并为3D DRAM工艺提供刻蚀参考。
• 环绕栅极结构：在GAA结构中实现高选择比刻蚀SiGe，避免损伤硅纳米片。