蜂窝陷光SiC探测器

零偏压高响应

在4H-SiC表面形成蜂窝状陷光微结构,显著抑制紫外反射并增强吸收,使自供电探测器在无外加偏压下即可高效工作。

Huifan, Xiong · 陈劼实 · Song, Lihui · 杨德仁 · 皮孝东

Advanced Science 2026

参数信息

峰值响应度
0.187 A/W
外量子效率
80 %

技术优势

陷光结构提升吸收

蜂窝状微结构通过增加光程和多重内反射抑制反射,使紫外吸收显著增强。

零偏压下工作

探测器无需外加偏压即可工作,简化电路设计并降低功耗。

制备简单可规模化

采用光电化学刻蚀法,成本低、可选择性刻蚀,适合大规模生产。

应用场景