<111>织构PMN-PT陶瓷

击穿电场近六成提升

采用两步烧结在保持<111>织构的同时获得均匀致密晶粒，突破传统织构陶瓷击穿场强瓶颈，电热性能比随机取向陶瓷提高39.7%。

程丽乾 · Zhiping, Wang · Zhenhua, Ma · Xinrui, Dong · Jiaoyang, Yan · 蔡卫滨 · Kai, Chen

International Journal of Applied Ceramic Technology 2025

具体参数

介电击穿强度

{'zh': '69', 'en': '69'} kV cm−1

绝热温变

{'zh': '0.88', 'en': '0.88'} K

技术优势

击穿场强提升

两步烧结获得致密且晶粒均匀的织构陶瓷，击穿场强从53提高到69 kV/cm，提高约30%。

电卡效应增强

在35 kV/cm电场下，两步烧结织构陶瓷的绝热温变达0.88 K，比随机取向陶瓷高39.7%。

优于常规烧结织构

与常规一步烧结的织构样品相比，两步烧结的织构陶瓷电卡性能额外提高11.4%。

应用场景

• 固态制冷器件：高击穿场强与织构取向允许更大电场驱动，提升制冷效率。
• 微型热管理：陶瓷片可切割成微小尺寸，实现局部热点精准控温。
• 电卡材料：织构与晶粒调控协同提升电卡性能，为材料设计提供新途径。
• 铁电陶瓷：两步烧结提供简单有效的晶粒结构调控方法，适用于其它铁电陶瓷。