非对称光栅硅激光器

单模高功率

通过优化相移位置与占空比，在保持单模工作的同时将输出功率侧比提升至7.5。

Qing, Ge · 王俊 · Shuaicheng, Liu · Feng, Lin · Hao, Zhai · Chuanjiang, Liu · Yanan, Chen · Yiming, Bai · Liu, Hao · Shiwei, Cai · 黄永清 · 任晓敏

Optics and Laser Technology 2024

具体参数

输出功率比

{'zh': '7.5', 'en': '7.5'}

输出功率比

{'zh': '5.0', 'en': '5.0'}

输出功率比

{'zh': '3.3', 'en': '3.3'}

归一化光栅耦合系数

{'zh': '2.59', 'en': '2.59'}

归一化光栅耦合系数

{'zh': '2.21', 'en': '2.21'}

脊波导宽度

{'zh': '0.4', 'en': '0.4'} µm

脊波导宽度

{'zh': '2', 'en': '2'} µm

锥形耦合器长度

{'zh': '150', 'en': '150'} µm

技术优势

单侧输出功率提升7.5倍

通过将相移位置比设定为0.64并优化占空比至0.7，单侧输出功率比从1.0提升至7.5，满足需要高功率输出的应用需求。

单模工作保持稳定

在提高输出功率比的同时，归一化光栅耦合系数κL保持在2.59，确保激光器维持稳定的单纵模工作，避免跳模。

应用场景

• 硅光集成激光源：提供高功率单模激光输出，可直接集成到硅光芯片中作为光源。
• 高功率单模激光器：输出功率侧比提升至7.5，满足高功率单模激光应用需求。
• 硅光制造：设计版图与工艺参数可直接用于硅光代工厂流片，加速制造。