一维合金Nb₃Se₁₂I光电探测器

深紫外至太赫兹宽带响应

该器件利用准一维结构的光热电效应,在无外加偏压下实现超宽光谱探测,兼具偏振敏感与高响应度。

Zhang, Jianbin · Hu, Zhen · 刘菲 · 徐华 · Wang, Xiao-Xiao · 赵亦 · Nan, Zhou · 董广志 · Hu, Zhang · 杨如森 · Lin-Lin, Wang · Hu W. · Li, Xiaobo

Advanced Materials 2024

具体参数

响应度
{'zh': '1632.4', 'en': '1632.4'} A W⁻¹
响应度
{'zh': '1868.1', 'en': '1868.1'} A W⁻¹
响应速度
{'zh': '43', 'en': '43'} µs
偏振各向异性比
{'zh': '1.83', 'en': '1.83'}

技术优势

从紫外到太赫兹全覆盖

利用PTe为主导的多重协同效应,单一器件即可覆盖深紫外至太赫兹波段,无需切换多台探测器。

零偏压工作

以光热电效应为主导,无需外接偏压即可产生可测的光电流,有利于低功耗和阵列集成。

偏振加密成像

利用Nb₃Se₁₂I的各向异性偏振敏感特性,将信息加密为偏振态,通过专用算法解密,信息隐蔽性和安全性大幅提升。

应用场景