双散射体微环谐振器

片上制造容差异常点

用两根不同直径纳米柱调控硅微环中的背散射，在片上实现异常点，显著放宽制造精度要求。

Li, Jiewen · Li, Wanxin · 杨峰 · Wang, Jinzhao · 姚勇 · 孙云旭 · 邹毅 · Wang, Jiawei · 何枫 · Duan, Jianan · Chen, Jinna · Shum, Perry Ping · 徐小川

Nano Letters 2024

技术优势

容差显著提高

增加两根纳米柱的直径差可大幅放宽制造精度要求，使得EP在标准工艺下即可实现。

全片上实现

无需外部元件微扰，直接在硅微环谐振器上集成散射体即可达到EP。

实验验证连续演化

通过逐步调节纳米柱的位置，实验上观察到了从非EP到EP的连续变化过程。

应用场景

• 集成光子器件：为片上集成非厄米光子器件提供制造容差高的核心单元。
• 非厄米光子学：替代依赖外部微扰的EP实现方案，推动非厄米物理的片上实验研究。
• 硅光制造：在标准硅光工艺下放宽制造精度要求，提升EP器件良率。