低压突触模拟
通过调节HfO₂厚度控制氧空位浓度，实现低操作电压和多种突触可塑性，为神经形态计算提供核心阻变介质。
Jie, Cao · 陈鹏 · 邱小燕 · 76725910
Materials Science in Semiconductor Processing 2026
30 nm HfO2器件的SET和RESET电压均值分别仅为0.248 V和−0.134 V，远低于常见阻变器件的伏级操作电压，有利于降低突触模拟的功耗。
不仅模拟了LTP、LTD和STP等基础突触可塑性，还通过脉冲调节实现了SADP、SDDP、SRDP和SNDP等符合Hebbian学习规则的高阶行为。
仅通过改变磁控溅射制备的HfO2薄膜厚度即可有效调节氧空位浓度，无需引入掺杂或复杂工艺，从而优化器件性能。