二维TbOBr晶体

立式可转移 · 窄带绿光

一种可通过聚合物自由干转移实现原子级清洁界面的二维稀土溴氧化物，其立式生长模式摆脱了衬底限制。

张静 · Dai, Jiuxiang · 李昂 · Cheng-Mo, Zhu · Jin, Zhitong · Ji, Qingqing · 周林

Journal of the American Chemical Society 2026

参数信息

发射线宽（绿光跃迁5D4→7F5）

5.0 meV

介电常数

10.1

技术优势

光发射超窄

5D4→7F5跃迁在543 nm处线宽仅5.0 meV，表明高晶体质量与弱非均匀展宽。

介电常数高

本征κ约为10.1，适合作为二维电子器件的高κ介电层。

立式生长摆脱衬底

通过调制前驱体质量通量可切换为衬底无关的立式取向，实现无聚合物干转移。

首个稀土基莫尔结构

构建了覆盖0°-45°全扭转角范围的均匀方形莫尔超晶格，将扭旋电子学拓展至f电子体系。

应用场景

• 二维光电器件：窄带绿光发射可作微型光源或发光层。
• 高κ介电层：本征高κ直接用作栅介质或绝缘层。
• 莫尔超晶格：提供稀土基莫尔超晶格的材料平台。
• f电子体系扭旋电子学：立式晶体干转移构建扭转结构。