高g值MEMS加速度传感器

抗过载25万g

集成封装ASIC芯片，分辨率与信噪比比未集成时分别提高71.95%与24.73%。

石云波 · Yuntian, Qu · 赵锐 · Wang, Yuting · Guo, Cui · 曹慧亮 · 唐军

Measurement: Journal of the International Measurement Confederation 2025

参数信息

灵敏度

0.206 µV/g

灵敏度

0.337 µV/g

量程

200,000 g

抗过载

250,000 g

分辨率

371.10 g

信噪比

72.363 dB

封装频率

74.5 kHz

技术优势

分辨率大幅提升

集成ASIC芯片后，分辨率达到371.10 g，与未集成ASIC的传感器相比提高了71.95%。

信噪比显著提高

集成ASIC芯片后，信噪比达到72.363 dB，相比未集成ASIC的传感器提高了24.73%。

抗过载能力强

传感器量程为200,000 g，抗过载能力高达250,000 g，能够承受极端冲击。

封装频率高

封装频率达到74.5 kHz，保证了传感器在动态测量中的响应速度。

应用场景

• 高冲击测试：用于高冲击测试中的加速度测量，承受高达200,000 g的冲击而不损坏。
• 精密测量：分辨率达371.10 g，信噪比72.363 dB，适用于高g值下的精密测量。
• 航空与高超声速：结构坚固，抗过载能力强，可用于航空航天和超声速环境中的加速度监测。
• 机械工程：ASIC与MEMS一体化封装，体积小，便于集成到机械系统进行振动和冲击测量。