高Q耦合模式谐振器

晶圆级转移

采用AlSc0.095N薄膜和IDT-IDT结构的谐振器，通过晶圆级转移工艺实现高Q值和优良的机电耦合。

是全

IEEE Transactions on Electron Devices 2025

参数信息

Bode-Q

2.27 GHz

薄膜厚度

770 nm

技术优势

机电耦合系数k_t^2达到5.17% @ 9.5% Sc掺杂

FoM达到67.57