掺杂分离隧穿FET

可靠性优于MOSFET

基于标准CMOS工艺平台制造的新型掺杂分离隧穿场效应晶体管，兼具优异器件性能和可靠性，适合超低功耗应用。

Yukun, Tang · 黄芊芊 · Wang, Kaifeng · Wu, Yongqin · Hongyan, Han · Ye, Ren · Bu, Weihai · 刘军华 · Ji, Zhigang · 黄如

2023

技术优势

可靠性反超MOSFET

论文通过HCI和NBTI测试直接对比了DS-TFET与常规MOSFET，结果表明DS-TFET的可靠性更优。

应用场景

• 超低功耗逻辑：用于超低功耗逻辑电路，TFET的陡峭亚阈值摆幅可大幅降低静态功耗。
• 功率管理：替代传统MOSFET用于功率管理，利用带间隧穿实现更优的能效。
• 物联网节点：用于物联网节点，降低待机功耗，延长电池寿命。
• 传感器接口：用于传感器接口电路，低漏电特性提高微弱信号读取精度。