二维SiP纳米片

电场可控摩擦

通过垂直电场动态调节接触电势差与界面粘附，实现各向异性摩擦的精准控制。

Pengfei, Liu · Yu, Tongtong · Du, Changhe · Haoyu, Deng · Xinjian, He · Shuang, Li · Donghua, Xu · Wang, Youqiang · 王道爱

Tribology International 2026

参数信息

摩擦差

4→8 nN

技术优势

机制清晰，调控有据

电场通过改变接触电势差与界面粘附来调节摩擦，为器件设计提供了可预测的物理依据。

连续调节各向异性

电场从0到8 V时，0°与90°方向摩擦差由4 nN增至8 nN，实现了摩擦各向异性的宽范围连续调控。

适用于二维材料体系

基于高质量二维SiP纳米片实现，为其他二维材料的电场摩擦调控提供了参考。

应用场景

• 纳米摩擦调控：利用电场实时调节纳米摩擦，无需改变温度或载荷。
• 微机电系统(MEMS)润滑：通过电场主动调节微机电系统接触界面的摩擦和粘附。
• 智能表面：将二维SiP集成到表面，实现电场可逆切换的摩擦特性。
• 摩擦学：为二维材料摩擦的电场调控提供新的实验证据和机理理解。