单相致密Hf–Ta–O氧化层

Ta富集区自发形成

在Ta/Hf碳化物表面通过优选掺杂氧化形成的保护层，无需额外工艺即可获得兼具致密性与相稳定性的抗烧蚀屏障。

Lv, Xirui · Lei, Yiming · Jinyu, Shi · 张洁 · 王京阳

Journal of Advanced Ceramics 2026

技术优势

x=0.50–0.60

y=0.66–1.00

1200–1500℃氧化形成单相致密层