InSe2插层NbSe2超导体

常压最高临界性能

将键合InSe2层插入NbSe2层间，同时提升了超导转变温度和临界电流密度，创下常压下过渡金属硫族化合物超导体的新纪录。

Niu, Rui · 李佳阳 · Zhen, Weili · 徐锋 · Weng, Shirui · 孟祥敏 · 夏静 · Hao, Ning · 张昌锦

Journal of the American Chemical Society 2024

具体参数

超导转变温度

{'zh': '11.6', 'en': '11.6'} K

技术优势

提升的超导转变温度

将键合InSe2层插入NbSe2层间后，超导转变温度提高至11.6 K，这是常压下过渡金属硫族化合物超导体的最高值。

层间耦合增强

独特的bonded InSe2层插层结构不同于传统原子或分子插层，它提供了更强的层间电子耦合，为后续物性调控提供了新思路。

应用场景

• 超导电子器件：利用其常压下最高的临界电流密度，提升超导器件的载流能力。
• 超导自旋电子学：层状结构中的强自旋-轨道耦合和可能的Ising超导序为超导自旋输运提供新材料。